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美國 UNIVERSITY WAFER 熔融石英晶圓

簡要描述:美國 UNIVERSITY WAFER 熔融石英晶圓
熔融石英晶圓是高純度二氧化硅的薄片,用于生產(chǎn)半導(dǎo)體芯片等電子設(shè)備。
產(chǎn)品咨詢 龔經(jīng)理 I8721868497(VX同號(hào))

  • 產(chǎn)品型號(hào):JGS3
  • 廠商性質(zhì):代理商
  • 更新時(shí)間:2024-12-13
  • 訪  問  量:351
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美國 UNIVERSITY WAFER 熔融石英晶圓 UV、JGS1、JGS2、JGS3

熔融石英晶圓是高純度二氧化硅的薄片,用于生產(chǎn)半導(dǎo)體芯片等電子設(shè)備。熔融石英,也稱為熔融石英,是一種高純度和透明的二氧化硅形式,是通過在高溫下熔化天然存在的石英砂制成的。熔融石英晶片具有很強(qiáng)的耐熱性、耐化學(xué)性和耐化學(xué)性,使其成為電子設(shè)備生產(chǎn)中的理想基板材料。由于透明度高、吸收光率低,它們還用于生產(chǎn)光學(xué)元件,例如鏡頭和鏡子。

美國 UNIVERSITY WAFER 熔融石英晶圓

熔融石英 JGS1、JGS2、JGS3

我們備有所有三個(gè)等級(jí)的庫存,供您各自的研究使用

直徑

厚 (um)

波蘭語




50.8 毫米500 微米擦光

JGS2 熔融石英頂部 Ra <1nm,背面粗糙度 Ra <1nm,S/D 40/20




50.8 毫米100 微米DSP
76.2 毫米500 微米DSP


1 平面 JGS2 初級(jí)平面 32.5+/-2mm,頂部 Ra <10A,S/D 40/20




100 毫米500 微米DSP

機(jī)械級(jí)熔融石英




100 毫米500 微米DSP
100 毫米1000 微米DSP


熔融石英 JGS2 經(jīng)軸 <30um 弓 <30um, TTV <10um, 頂面 Ra <1.0nm 背面 Ra <1.0nm, S/D 60/40 平面: 32.5+/-2mm




100 毫米700 微米DSP
100 毫米180 微米DSP


熔融石英晶圓,JGS2,C 坡口,2.50 mm +/- 0.10 mm




100 毫米2500 微米DSP

用于評(píng)估熱膨脹和熒光/自發(fā)熒光特性的熔融石英基底

機(jī)械性能:

  1. 密度:約 2.2 g/cm3。

  2. 楊氏模量 (E):通常在 72 GPa(千兆帕)左右,表明其剛度。

  3. 泊松比:大約 0.17,這是相對(duì)收縮應(yīng)變(橫向、橫向或徑向應(yīng)變)與相對(duì)拉伸應(yīng)變(或軸向應(yīng)變)的比率。

  4. 硬度:莫氏硬度在 7 左右,使其相對(duì)堅(jiān)硬且耐刮擦。

  5. 抗張強(qiáng)度:通常約為 48 MPa(兆帕)。表面缺陷會(huì)顯著降低實(shí)際拉伸強(qiáng)度。

  6. 抗壓強(qiáng)度:超過 1 GPa,遠(yuǎn)高于其抗拉強(qiáng)度。

  7. 熱膨脹系數(shù):非常低,約為 0.55 x 10??/°C,使其在很寬的溫度范圍內(nèi)保持穩(wěn)定。

光學(xué)特性:

  1. 折射率:在 589 nm(可見波長)處約為 1.4585。該值在不同波長上會(huì)略有變化。

  2. 傳輸:熔融石英在紫外線 (UV) 到紅外線 (IR) 范圍內(nèi)具有高度透明性。它具有出色的透射率,在紫外到近紅外范圍內(nèi)通常超過 90%。

  3. 阿貝數(shù):約為 67.56,表明色散相對(duì)較低。

  4. 雙 折射:熔融石英是各向同性的,當(dāng)它不受應(yīng)力時(shí)不會(huì)表現(xiàn)出雙折射。

  5. 吸收:熔融石英在紫外到近紅外范圍內(nèi)的吸收率最小,但在深紫外和遠(yuǎn)紅外范圍內(nèi)的吸收率會(huì)增加。



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